_ Mời bạn đọc đăng ký làm thẻ để được sử dụng tài liệu hoặc liên hệ số điện thoại: 0985803323
Tài liệu Thư viện số
Danh mục TaiLieu.VN
Bài viết nghiên cứu ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M=Mo, W) bằng DFT. Kết quả cho thấy biến dạng ảnh hưởng lớn đến vùng cấm.
9 p thuviendanang 19/09/2025 9 0
Từ khóa: Nghiên cứu khoa học, Vật lý, Vật liệu hai chiều, Tính chất điện tử, Hàm mật độ, Biến dạng vật liệu, Cấu trúc vùng năng lượng
Bài viết nghiên cứu ảnh hưởng SOC lên tính chất điện tử và độ linh động của Janus SiGeSe2. Vật liệu này có cấu trúc và cơ tính dị hướng, vùng cấm thẳng, độ linh động điện tử cao.
11 p thuviendanang 19/09/2025 7 0
Từ khóa: Nghiên cứu khoa học, Vật lý, Vật liệu janus hai chiều, Hiệu ứng spin-orbit, Độ linh động hạt tải, Lý thuyết phiếm hàm mật độ, Cấu trúc vùng năng lượng
Bài viết nghiên cứu đặc tính cơ học, điện tử đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng DFT. Cấu trúc dị hướng, tỷ lệ Poisson âm, bán dẫn vùng cấm hẹp (0.42 eV), tiềm năng ứng dụng.
9 p thuviendanang 19/09/2025 8 0
Từ khóa: Nghiên cứu khoa học, Vật lý, Vật liệu janus gesite2, Tính chất cơ học, Tính chất điện tử, Lý thuyết phiếm hàm mật độ, Cấu trúc tinh thể dị hướng
Tính chất cơ học, điện tử và nhiệt điện của vật liệu thấp chiều SnSx
Trong nghiên cứu "Tính chất cơ học, điện tử và nhiệt điện của vật liệu thấp chiều SnSx", các tính chất cơ, nhiệt điện của vật liệu thấp chiều SnSx (x = 1, 2) được tính toán bằng phương pháp nguyên lý đầu sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Kết quả thu được cho thấy vật liệu SnS có tính dị hướng, mô đun đàn hồi theo phương x và...
8 p thuviendanang 16/08/2024 63 0
Từ khóa: Tuyển tập công trình khoa học, Hội nghị Cơ học toàn quốc, Hội nghị Cơ học toàn quốc lần thứ XI, Vật liệu thấp chiều SnSx, Hệ số Seebeck, Lý thuyết phiếm hàm mật độ
Đăng nhập
Bộ sưu tập nổi bật