_ Mời bạn đọc đăng ký làm thẻ để được sử dụng tài liệu hoặc liên hệ số điện thoại: 0985803323
Tài liệu Thư viện số
Danh mục TaiLieu.VN
Màng SnO2 pha tạp Ga (GTO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO2 + Ga2O3) bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong khí nền Ar ở áp suất 4.10-3 torr. Ảnh nhiễu xạ tia X (XRD), phương pháp đo Hall Van Der Pauw và phổ truyền qua UV- Vis được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Mời các bạn cùng tham khảo kết quả nghiên cứu.
10 p thuviendanang 30/11/2017 214 1
Từ khóa: Phún xạ magnetron DC, Màng dẫn điện trong suốt SnO2:Ga, Màng dẫn điện, Phương pháp phún xạ magnetron DC, Phương pháp phún xạ, Ảnh nhiễu xạ tia X
Đăng nhập
Bộ sưu tập nổi bật
Bộ sưu tập Địa danh - Du lịch Hà Nội
20 12400
Bộ sưu tập tài liệu nấu ăn ngon
18 14607
29 17897
24 16723
Bộ sưu tập Chiến thắng Điện Biên Phủ
18 13738